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是否有白皮书明确规定了如何使用 MosFET 开启特性来抑制浪涌电流？
设计类似于 TLE9853 评估板，H-bridge 具有更大的 Mosfet。 通过模拟感性负载，我们 CAN 控制电流。 在测试实际电机时，我们遇到的电感浪涌电流超过了 MosFET 的脉冲额定值。 微TLE9853QX 场效应晶体管IAUA250N04S6N005 
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CAN将软启动方法与软启动硬件一起使用，以降低浪涌电流。
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抑制浪涌电流的方法之一是使用MosFET的开启特性。一个常见的方法是使用电流限制器或者电流保护电路来确保电流不会超过MosFET的脉冲额定值。
至于是否有白皮书明确规定如何使用MosFET开启特性来抑制浪涌电流，这取决于具体的MosFET型号和制造商。您可以查阅该型号的手册或者白皮书来了解如何使用MosFET来抑制浪涌电流。 对于设计类似于TLE9853评估板的H-bridge，如果承受的电感浪涌电流超过了MosFET的脉冲额定值，您可以考虑以下几个解决方案： 1. 选择更高功率的MosFET，以确保其可以承受更大的电流。 2. 使用电流限制器或者电流保护电路来监控和限制电流，以避免超过MosFET的额定值。 3. 考虑使用电感电流抑制器或者补偿电路来抑制电感浪涌电流。 4. 对电路进行优化设计，例如调整电感的值或者更换其他元件来降低电感浪涌电流。 总之，在具体的设计中，最好根据您的具体要求和MosFET的规格来选择合适的电流抑制方法。 |
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